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產品簡介
Thorlabs電光調制器，自由空間型和相位鈮酸鋰調制器是我們在晶體生長和電光材料方面經驗的結晶。我們的電光調制器使用摻氧化鎂的鈮酸鋰，用于高功率工作。調制器有一個SMA RF輸入端，直接兼容我們的HVA200高壓放大器(請見下方)。我們提供寬帶DC耦合和高Q共振型號。
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電光調制器，自由空間型
高性能，緊湊封裝
寬帶DC耦合或高Q共振
2 mm直徑通光孔徑
摻氧化鎂的鈮酸鋰晶體
SMA RF調制輸入接頭
DC到100 MHz
提供定制OEM版本
我們的寬帶電光調制器由一個封裝在外殼內的電光晶體構成，并經過優化達到J較好的射頻性能。射頻驅動信號通過SMA RF接頭直接連接電光晶體。由外部射頻驅動器提供調制要求的驅動電壓。電光晶體的調制范圍可以從直流到外部射頻驅動器的頻率極限。關于放大器要求的相關信息，請看規格標簽。這些寬帶振幅和相位調制器可選-C4*(400 - 600 nm)、-C1(600 - 900 nm)、-C2(900 - 1250 nm)或-C3(1250 - 1650 nm)增透膜。
共振電光調制器以固定頻率工作，Thorlabs的設計中包含高Q共振電路。相比寬帶電光調制器，共振電光調制器顯著降低了工作電壓。我們共振調制器可選振幅和相位調制版本，以20 MHz工作，鍍有-C1增透膜(600 – 900 nm)。關于鍍膜反射率的詳細信息，請看曲線標簽。我們提供標準和定制鍍膜選項，用戶還可選從0.1到100 MHz的共振頻率。
電光振幅調制器(EO-AM)是一種普克爾盒型調制器，由封裝在緊湊外殼中的兩個匹配鈮酸鋰晶體(請看右圖)組成，外殼帶射頻輸入接頭。對晶體施加電場將改變折射率(尋常光和非尋常光)，產生電場相關的雙折射效應，以此改變光束的偏振態。電光晶體相當于一個可變波片，其延遲量與施加電場成線性關系。在輸出端放置一個線偏振片，通過偏振片的光束強度將隨施加電壓的線性變化而發生正弦變化。
請注意，工作在-C4波段(400 - 600 nm)的AM調制器僅用于幾赫茲以上的AC調制。摻氧化鎂的鈮酸鋰對這個波長范圍的光敏感，對施加的DC電場顯示出緩慢的負壓。光越強，DC場消除得越快。因此，實際上，DC電壓不能用于在要求的工作點給調制器施加偏壓。但是，可以使用可調波片在需要的工作點給調制器施加光學偏置(關于調制器偏置的詳細信息，請看實驗觀測標簽)。
我們的電光相位調制器能夠對線偏振入射光提供可調相位差。入射光沿豎直方向線偏振，即晶體的Z軸方向。通過RF輸入端在Z軸電極上施加電壓，使晶體的非尋常光折射率發生變化，以此使光信號產生相位差。
控制信號可以是DC或隨時間變化的RF信號。當控制電壓信號隨時間變化，光束將受到頻率調制，部分基頻能量將轉到邊帶中，邊帶與基頻間隔是調制頻率的整數倍。轉到邊帶的能量大小由調制深度決定。右圖展示了邊帶的相對強度和調制深度的關系。
我們共振電光調制器具有高Q值，可用標準的實驗室函數發生器驅動。調制器中的高Q值共振儲能電路可以將標準函數發生器的低水平RF輸入電壓轉成取得全調制深度要求的高電壓。這樣使得半波驅動電壓在633 nm處只有15 V。
共振調制器可選相位和振幅調制版本，工作頻率20 MHz，帶寬1 MHz。它們具有用于600到900 nm的C1膜。我們也可以提供定制服務，用戶可選從0.1到100 MHz的共振頻率和各種增透膜。
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